国内学会発表（2000～）

角谷^, 津田, 隅田, 中野, 吉越: ｢m面GaN薄膜の表面処理による化学結合状態とCV特性変化｣, 2024年第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学 世田谷キャンパス, 2024年3月.

川上, 牧野, 白井, 柳谷, 中野, 新部: ｢大気圧プラズマ支援アニーリングした白金ドープ酸化チタンナノ粒子の酸化分解力と殺菌力」,
令和6年電気学会全国大会, 徳島大学 常三島キャンパス, 2024年3月.

宮路, 川上, 柳谷, 新部, 中野: 「金ナノ粒子の局在表面プラズモン共鳴により増強されたTiO2/Au/TiO2/Auナノ構造体の光触媒反応性」,
2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本城ホール, 2023年9月.

松本, 川上, 柳谷, 新部, 中野: 「高圧アニーリングにより炭素不純物ドーピングしたアナターゼ/ルチル混晶型TiO2ナノ粒子の光触媒活性」, 2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本城ホール, 2023年9月.

市村, 川上, 柳谷, 新部, 中野: 「高圧アニーリング法により成長させたg-C3N4ナノシートの光触媒反応性」,　2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本城ホール, 2023年9月.

牧野, 川上, 柳谷, 新部, 中野, 向井: 「白金ドープしたルチル型酸化チタンナノ粒子への大気圧低温酸素プラズマ支援アニーリング効果」,
2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本城ホール, 2022年9月.

松本, 川上, 柳谷, 新部, 中野, 向井: 「ポリエチレングリコールドーピングによるアナターゼ/ルチル混晶型酸化チタンナノ粒子の光触媒活性増強効果」, 2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年9月.

豊留, 中野, 川上, 新部: 「Ar+イオン衝撃によりp型GaNに導入される電気的ダメージのUV光照射効果」, 第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学 相模原キャンパス, 2022年 3月.

豊留, 中野: ｢高温度真空中アニール処理したb-Ga2O3(010)単結晶の欠陥準位評価｣, 第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学 相模原キャンパス, 2022年 3月.

中野, 豊留: ｢高温度アニール処理したSiドープb-Ga2O3(010)単結晶の電気特性評価｣, 第68回応用物理学会春季学術講演会, Zoom開催, 2021年 3月.

味元, 川上 , 柳谷, 新部, 中野, 向井: ｢大気圧低温O2プラズマ支援熱処理したアナターゼ/ルチル混晶型TiO2ナノ粒子の紫外/可視光触媒活性｣, 第68回応用物理学会春季学術講演会, Zoom開催, 2021年 3月.

川上, 味元, 小出, 柳谷, 新部, 中野, 向井: ｢熱アシスト非平衡大気圧O2プラズマ処理したアナターゼ型TiO2ナノ粒子の物性｣, 日本物理学会2020年秋季大会, 2020年9月.

味元, 川上, 新部, 中野, 向井: ｢アナターゼ/ルチル混晶型TiO2ナノ粒子への熱アシスト大気圧低温O2プラズマ処理効果｣, 2020年度応用物理・物理系学会中国四国支部 合同学術講演会, 2020年8月.

中野, 豊留, 新部, 川上: ｢CF4プラズマ処理したp型GaNの電気的ダメージ評価｣, 第67回応用物理学会 春季学術講演会, 上智大学 四谷キャンパス, 2020年 3月.

中野, 豊留: ｢HVPE法で結晶成長したn型Siドープb-Ga2O3ホモエピ膜の電気的評価｣, 第80回応用物理学会 秋季学術講演会, 北海道大学　札幌キャンパス, 2019年9月.

中野, 豊留: ｢Ar+イオン照射により生成するp型GaNの電気的ダメージ評価｣, 第80回応用物理学会 秋季学術講演会, 北海道大学　札幌キャンパス, 2019年9月.

中野, 豊留: ｢HVPE法で結晶成長したSiドープβ-Ga2O3ホモエピ膜の欠陥準位評価｣, 第66回応用物理学会 秋季学術講演会, 東京工業大学 大岡山キャンパス, 2019年3月.

中野, 北原, 大内, 生川, 川村: ｢3C-SiC/Si基板上に作製したAlGaN/GaN/GaN:Cヘテロ構造のターンオン容量回復特性｣, 第66回応用物理学会 秋季学術講演会, 東京工業大学 大岡山キャンパス, 2019年3月.

川上, 芳谷, 新部, 中野, 東, 向井: ｢AlGaN薄膜表面へのCF4プラズマ処理中に及ぼす紫外光同時照射効果｣, 平成30年度電気関係学会 四国支部連合大会, 愛媛大学 城北キャンパス (松山), 2018年9月.

芳谷, 川上, 小出, 髙見, 杉本, 見谷, 新部, 中野, 東, 向井: ｢アナターゼ型TiO2ナノ粒子への加熱を伴うO2誘電体バリア放電プラズマ処理効果｣, 平成30年度電気関係学会 四国支部連合大会, 愛媛大学 城北キャンパス (松山), 2018年9月

中野: ｢HVPE法で結晶成長したb-Ga2O3ホモエピ膜の電気的評価｣, 第65回応用物理学会 春季学術講演会, 早稲田大学⻄早稲田キャンパス (東京),　2018年3月.

川上, 新部, 中野, 芳谷, 東, 向井: ｢光触媒TiO2薄膜への加熱を伴うO2 DBDプラズマ処理効果｣, 平成29年度電気関係学会 四国支部連合大会, 愛媛大学城北キャンパス (松山), 2017年9月.

中野: ｢GaN 自立基板上にホモエピタキシャル成長したp-GaN 膜の電気的評価｣, 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜 (横浜), 2017年3月.

中野:　｢b-Ga2O3単結晶基板の電気的評価｣, 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜 (横浜) 2017年3月.

新部, 川上, 中野, 田中, 荒木, 東, 向井: ｢AlGaN 表面特性への酸素プラズマ照射効果｣, 第77回秋季応用物理学会学術講演会, 朱鷺メッセ (新潟), 2016年9月.　

中野, 浅村, 大内, 生川, 稲垣, 川村: ｢ガスソースMBE法により作製した3C-SiC(111)自立基板の電気的評価｣, 第77回秋季応用物理学会学術講演会, 朱鷺メッセ (新潟)　 2016年9月.　

中野, 近松: ｢Si基板上AlGaN/GaN/GaN:Cヘテロ構造のターンオン容量回復特性｣, 第77回秋季応用物理学会学術講演会, 朱鷺メッセ (新潟), 2016年9月.　

川上, 新部, 中野, 東, 向井: ｢紫外線照射下でのCF4プラズマエッチングによるAlGaN表面ダメージ｣, 平成28年度電気関係学会 四国支部連合大会, 徳島大学常三島キャンパス (徳島), 2016年9月.

近松, 中野: 「炭素ドープしSi基板上AlGaN/GaNヘテロ構造の容量回復特性」, 2016 真空・表面科学合同講演会，第36回表面科学学術講演会・第57回真空に関する連合講演会, 名古屋国際会議場 (名古屋)　2016年12月.

中野, 新部, 川上: ｢CF4プラズマ処理したn-GaN膜の電気的ダメージ｣, 2016 真空・表面科学合同講演会，第36回表面科学学術講演会・第57回真空に関する連合講演会, 名古屋国際会議場 (名古屋),　2016年12月.

荒木, 新部, 川上, 竹平, 中野: ｢TiO2薄膜のプラズマ処理試料のXPS法による組成と触媒活性の相関｣, 第30回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム, 神戸芸術センター (神戸), 2017年1月.

田中, 新部, 川上, 中野, 向井: ｢酸素および窒素プラズマ処理したAlGaN膜の表面分析｣, 第30回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム, 神戸芸術センター (神戸), 2017年1月.

荒木, 竹平, 新部, 川上、中野: 「TiO2薄膜のプラズマ処理試料のXPS法による組成と触媒活性の相関」, 第52回Ｘ線分析討論会, 筑波大学東京キャンパス (東京), 2016年10月.

荒木,竹平,新部, 川上, 中野: 「TiO2薄膜のプラズマ処理試料のXPS法による組成と触媒活性の相関」, 先端セミナー2016 (兵庫県立大学 ニュースバル放射光施設), 姫路, 2016年3月.

平井, 新部, 川上, 竹平, 中野, 向井: 「Ar、CF4及び紫外光アシストCF4プラズマでエッチングしたAlGaN膜の表面分析」, 先端セミナー2016 (兵庫県立大学 ニュースバル放射光施設), 姫路, 2016年3月.

平井, 新部, 川上, 竹平, 中野, 向井: 「CF4とArプラズマで処理したAlGaN膜の表面分析」, 第29回日本放射光学会年会 放射光科学合同シンポジウム, 柏, 2016年1月.

荒木, 新部, 川上, 竹平, 中野: 「TiO2薄膜のプラズマ処理試料のXPS法による組成と触媒活性の相関」, 第29回日本放射光学会年会 放射光科学合同シンポジウム, 柏, 2016年1月.

川上, 新部, 中野, 東, 向井: 「CF4とArプラズマで処理したAlGaN/GaNの電気特性」, 平成27年度電気関係学会 四国支部連合大会, 高知, 2015年9月.

中野, 坂井, 新部, 川上: 「CF4 プラズマ処理したn-GaN 膜の電気的評価」, 第63回応用物理学会春季学術講演会, 東京, 2016年3月.

新部, 荒木, 竹平, 川上, 中野, 東: 「酸化チタン薄膜表面への酸素プラズマ照射効果」, 第76回秋季応用物理学会学術講演会, 名古屋, 第76回秋季応用物理学会学術講演会, 名古屋, 2015年9月.

伴野, 小川, 中野, 中村: 「窒化ガリウム薄膜に対するアルゴンおよび塩素プラズマの効果」, 第76回秋季応用物理学会学術講演会, 名古屋, 第76回秋季応用物理学会学術講演会, 名古屋, 2015年9月.

新部, 川上, 中野, 竹平, 平井, 荒木, 東, 向井: 「紫外光アシストCF4プラズマでエッチンングされたAlGaN表面分析」, 第76回秋季応用物理学会学術講演会, 名古屋, 第76回秋季応用物理学会学術講演会, 名古屋, 2015年9月.

川上, 新部, 中野, 東, 向井: 「対向ターゲット式スパッタ法により作製した酸化チタン薄膜の光触媒特性」, 2015年度応用物理・物理系学会 中国四国支部合同学術講演会, 徳島, 2015年8月.

小川, 中野, 中村: 「塩素プラズマ中に曝されたGaNのダメージ評価」, プラズマ・放電・パルスパワー合同研究会, 札幌, 2015年4月.

中野, 川上, 新部, 髙木, 白濱, 向井: 「CF4プラズマ処理したAlGaN/GaNヘテロ構造の電気的評価」, 第62回春季応用物理学会学術講演会, 東海大学, 2015年3月.    

中野, 髙木, 小川, 中村, 新部, 川上: 「Ar+イオン照射したMOCVD-GaN:Si膜の電気的評価」, 第62回春季応用物理学会学術講演会, 東海大学, 2015年3月.    

佐野, 新部, 川上, 中野: 「軟X線照射によるTiO2超微粒子のNEXAFSスペクトル形状の回復」, 東海大学, 第62回春季応用物理学会学術講演会, 2015年3月.

平井, 新部, 川上, 白濱, 中野, 向井: 「ArとCF4プラズマで処理したAlGaN膜の表面分析」, 第28回日本放射光学会年会 放射光科学合同シンポジウム, 立命館大学, 2015年1月.    

佐野, 新部, 川上, 中野: 「X線吸収分光法を用いたTiO2薄膜のプラズマダメージ評価」,, 第28回日本放射光学会年会 放射光科学合同シンポジウム, 立命館大学, 2015年1月.

角谷，本田，L.Sang，中野，長谷川: 「III-V族窒化物太陽電池特性のp-GaN 層Mg dopingと InGaN層のキャリア密度依存性」, 第75回応用物理学会秋学術講演会, 北海道大学, 2014年9月.

加藤, 中野: 「光電極応用に向けたp型SiCエピタキシャル層の欠陥評価」, 第75回応用物理学会秋学術講演会, 北海道大学, 2014年9月.

角谷，本田，L.Sang，中野，長谷川: 「歪みInGaN活性層を用いた太陽電池特性のn層ドーピング密度依存性」, 第75回応用物理学会秋学術講演会, 北海道大学, 2014年9月.

中野, 色川, 角谷, 八木, 河合: 「C-t法によるAlGaN/GaNヘテロ構造のターンオン回復特性評価」, 第75回応用物理学会秋学術講演会, 北海道大学, 2014年9月.

小川, 中野, 中村: 「窒化ガリウム薄膜をプラズマ中に曝したときの基板温度の効果」, 第75回応用物理学会秋学術講演会, 北海道大学, 2014年9月.

中野, 中村, 新部, 川上: 「A+イオン照射したHVPE-GaN膜の電気的評価」, 第75回応用物理学会秋学術講演会, 北海道大学, 2014年9月.

新部, 川上, 中野, 向井, 白濱, 平井: 「CF4とArプラズマでエッチングしたAlGaN表面ダメージ」, 第75回応用物理学会秋学術講演会, 北海道大学, 2014年9月.

中野: 「AlGaN/GaNヘテロ構造における炭素関連の欠陥準位評価」, 日本物理学会 第24回格子欠陥フォーラム「パワーデバイス開発のための格子欠陥評価・制御」, 恵那 (岐阜), 2014年9月.　/招待講演/

小川, 中野, 中村:: 「アルゴンプラズマに曝された窒化ガリウムフィルムに対する冷却効果」, 電気学会プラズマ研究会, 大阪府立大学, 2014年9月.

白濱, 川上, 新部, 中野, 平井, 向井: 「CF4プラズマとAlGaN表面との相互作用」, 平成26年度電気関係学会 四国支部連合大会, 徳島大学, 2014年9月.    

川上, 新部, 中野, 白濱, 向井: 「対向ターゲットを用いたDCプラズマスパッタリングによる酸化チタン薄膜の生成」, 平成26年度電気関係学会 四国支部連合大会, 徳島大学, 2014年9月.

角谷, Sang, 長谷川, 中野: 「III-V族窒化物薄膜太陽電池の歪を考慮した計算解析」, 応用物理学会（2014.3）.

佐野, 新部, 川上, 中野: 「X線吸収分光法によるTiO2薄膜のエッチングダメージ評価」, 応用物理学会（2014.3）.

小川, 中野, 中村: 「プラズマ中の窒化ガリウム膜におけるフォトルミネッセンスの基板温度効果」, 応用物理学会（2014.3）.

新部, 平井, 川上, 白濱, 中野, 向井: 「ＵＶアシストHeプラズマによりエッチングしたn-GaN結晶の表面ダメージの分析」, 応用物理学会（2014.3）.
中野, 色川, 角谷, 住田, 八木, 河合: 「AlGaN/GaNヘテロ構造の炭素関連欠陥準位とターンオン電流回復特性」, 応用物理学会（2014.3）.

中野, 長谷川, Sang, 角谷: 「水銀プローブによるInGaN厚膜の電気的評価」, 応用物理学会（2014.3）.

川上, 新部, 中野, 向井, 白濱, 山田, 青木, 仲, 高畑, 大場:「N2プラズマによるGaN エッチングダメージ」, 平成25 年度電気関係学会四国支部連合大会（2013.9）.

山田, 川上, 新部, 中野, 佐野: 「二酸化チタン配合フッ素樹脂のDBD 酸素プラズマ表面処理に関する研究」, 平成25 年度電気関係学会四国支部連合大会（2013.9）.

新部, 佐野, 川上, 富永, 中野: 「SXおよびUV照射によるTiO2薄膜のエッチングダメージの回復」, 応用物理学会（2013.9）.
佐野, 新部, 川上, 富永, 中野: 「XASスペクトルに見られるTiO2薄膜のエッチングダメージ回復現象の条件評価」, 応用物理学会（2013.9）.

川上, 新部, 中野, 向井, 白濱, 山田, 青木, 仲, 高畑, 大場: 「紫外光アシストHeプラズマによるn-GaN表面エッチングダメージ」, 応用物理学会（2013.9）.

中野, 新部, M.Lozac'h, L.Sang, 角谷: 「InGaN厚膜を有するpin接合の電気的評価」, 応用物理学会（2013.3）.

新部, 佐野, 小高, 川上, 富永, 中野: 「軟X線照射によるTiO2薄膜のエッチングダメージの回復II」, 応用物理学会（2013.3）.

佐野, 新部, 小高, 川上, 富永, 中野: 「軟X線照射によるTiO2薄膜のエッチングダメージの回復I」, 応用物理学会（2013.3）.

新部, 川上, 中野, 小西, 森, 小高, 白濱, 山田, 富永, 向井: 「n-GaN表面のN2プラズマエッチングダメージ」, 応用物理学会（2013.3）.

佐野, 新部, 小高, 川上, 富永, 中野: 「光照射によるTiO2薄膜のエッチングダメージの回復」, ニュースバル放射光施設 先端技術セミナー2013 （2013.3）.

新部, 佐野, 小高, 川上, 富永, 中野: 「軟X線照射によるTiO2薄膜の乱れた構造の回復」, 第26回日本放射光学会年会放射光科学合同シンポジウム（2013.1）.

新部, 佐野, 小高, 川上, 富永, 中野: 「エッチングしたTiO2薄膜の軟X 線照射による乱れた構造の回復」, 第48回X線分析討論会（2012.10）.

小高, 新部, 川上, 中野, 向井: 「N2 プラズマによるGaNエッチングダメージの分析」, 第48回X線分析討論会（2012.10）.

森, 川上, 新部, 中野, 小西, 小高, 白濱, 山田, 富永: 「二酸化チタン配合フッ素樹脂へのDBDエアプラズマトリートメント」, 電気関係学会四国支部連合大会（2012.9）.

小西, 川上, 新部, 中野, 森, 小高, 白濱, 山田, 富永, 向井: 「p-GaNとn-GaNにおけるArプラズマエッチングダメージ」, 電気関係学会四国支部連合大会（2012.9）.

新部, 小高, 川上, 富永, 中野: 「軟Ｘ線吸収分光法によるTiO2薄膜のエッチングダメージの解析」」, 応用物理学会（2012.9）.

川上, 新部, 中野, 小西, 森, 小高, 白濱, 山田, 富永, 向井: 「容量性結合アルゴンプラズマによるp-GaNエッチングダメージ」, 応用物理学会（2012.9）.

中野, 新部, M. Lozac'h, L. Sang, 角谷: 「InGaN厚膜の欠陥準位評価」, 応用物理学会（2012.9）.

中野, 色川, 住田, 八木, 河合: 「AlGaN/GaNヘテロ構造のターンオン回復特性と欠陥準位の相関」, 応用物理学会(2012.9）.

中村, 陳, 中野, 菅井: 「プラズマに曝された窒化ガリウム薄膜のフォトルミネッセンスその場観測」 , 応用物理学会（2012.9）.

中野, M.Lozac'h, L.Sang, 角谷: 「光容量分光法によるInGaN厚膜の欠陥準位評価」, 応用物理学会（2012.3）.

中野, 中村, 新部, 川上, 伊藤, 小高, 稲岡, 富永: 「GaNのArプラズマエッチングへのUV光照射効果」, 応用物理学会（2012.3）.

加藤, 李, 伊藤, 中村, 中野, 菅井: 「プラズマ環境にある窒化ガリウム薄膜のフォトルミネッセンス観測」, 電気関係学会四国支部連合大会 （2011.9）.

小西, 川上, 新部, 武市, 森, 小高, 中野, 稲岡, 富永, 向井:「窒素プロセシングプラズマによるn-GaN エッチングダメージ」」, 電気関係学会四国支部連合大会 （2011.9）.

武市, 川上, 新部, 中野, 小西, 森, 小高, 稲岡, 富永, 向井:「Ar/Kr プラズマイオンと紫外線のシナジー効果によるn-GaN エッチングダメージ」, 電気関係学会四国支部連合大会 （2011.9）.

新部, 小高, 川上, 中野, 稲岡, 富永, 向井: 「HeおよびArガスを用いてプラズマエッチングしたn-GaN結晶の表面ダメージ分析」, 応用物理学会 （2011.8）.

川上, 武市, 小西, 森, 稲岡, 富永, 新部, 小高, 中野, 向井: 「容量性結合N2プラズマによるGaNエッチングダメージ」, 応用物理学会 （2011.8）.

中野, 川上, 新部, 武市, 稲岡, 富永: 「プラズマエッチング損傷GaNのフォトルミネッセンス評価」, 応用物理学会 （2011.8）.

中野, 色川, 住田, 八木, 河合: 「成長条件の異なるAlGaN/GaNヘテロ構造のDLOS評価」, 応用物理学会 （2011.8）.

M.Lozac'h, Y.Nakano, K.Sakoda, M.Sumiya: "Schottky solar cells using transparent conductive polymer on III-V nitride thin films", 応用物理学会 (2011.3）.

中野, 川上, 新部, 武市, 稲岡, 富永: 「GaNのプラズマエッチング損傷のフォトルミネッセンス評価」, 応用物理学会（2011.3）.

中村, 郭, 高, 中野, 菅井:  「誘導結合型プラズマ中の窒化ガリウム膜に対する高エネルギー電子の照射効果」, 応用物理学会（2010.9）.

中野, 松木, M.Lozac'h, 迫田, 角谷: 「ポリアニリン透明ショットキー電極を用いたGaN自立基板の電気的評価」, 応用物理学会（2010.9）.

高, 伊藤, 中野, 中村, 菅井: 「プロセスプラズマにおける高速電子線の発生と窒化物半導体のカソードルミネッセンス計測への適用（2）」, 電気関係学会東海支部連合大会（2010.8）.

伊藤, 高, 中野, 中村, 菅井: 「プロセスプラズマにおける高速電子線の発生と窒化物半導体のカソードルミネッセンス計測への適用（1）」, 電気関係学会東海支部連合大会（2010.8）.

中野, 色川, 住田, 河合: 「電流コラプス量の異なるAlGaN/GaN構造のDLOS評価」, 応用物理学会（2010.3）.

中野, 松木, 色川, 角谷: 「ポリアニリン透明ショットキー電極を用いたn-GaN膜のDLOS評価」, 応用物理学会（2010.3）.

松木, 中野, 色川, ロザック, 迫田, 角谷: 「透明導電性高分子/III族窒化物半導体ショットキー型太陽電池の界面構造」」, 応用物理学会 （2009.9）.

松木, 色川, 中野, 角谷: 「透明導電性高分子とIII族窒化物半導体によるヘテロ接合太陽電池」, 第6回次世代の太陽光発電システムシンポジウム（2009.7）.

中野, 色川, 竹口:「AlGaN/GaNヘテロ構造の界面電子物性評価」, 応用物理学会（2009.3）.

中野:「有機EL素子のトラップ分光の基礎とデバイス評価」, 高分子学会 有機EL研究会（2008.10）. /招待講演/

中野, 色川, 竹口:「Al0.3Ga0.7N/GaNヘテロ構造のDLOS評価」, 応用物理学会（2008.9）.

中野, 野田, 藤川:「a-NPD/Alq3発光層界面の輝度劣化前後のDLOS評価」, 応用物理学会（2008.9）.

中野, 佐伯, 森川:「反応性スパッタ法により形成したCu2O膜物性への結晶性の影響」, 応用物理学会（2008.9）.

中野, 佐伯, 森川:「反応性スパッタ法により形成したp型Cu2ON膜の光学バンドギャップ制御」, 応用物理学会（2008.9）.

中野:「窒素ドープ酸化チタン光触媒の可視光応答化」, 次世代半導体材料・デバイス開発のための欠陥エンジニアリングに関する研究会（2007.12）.

伊東, 中森, 上殿, 中野, 加地, 大平, 鈴木, 石橋:「低速陽電子ビームを用いたイオン注入GaNの欠陥評価（II）」, 応用物理学会 （2007.9）.

中森, 伊東, 上殿, 中野, 加地, 大平, 鈴木, 石橋:「低速陽電子ビームを用いたイオン注入GaNの欠陥評価（I）」, 応用物理学会 （2007.9）.

中野, 野田, 藤川, 森川, 大脇:「Alq3を用いた有機EL素子の発光層界面のDLOS評価」, 応用物理学会 （2007.3）.

飯島, 後藤, 榎本, 椚田, 江馬, 中野, 森川, 塚本, 市川, 坂間:「窒素ドープ酸化チタン薄膜の光学特性」, 応用物理学会（2007.3）.

中野:「DLOS法によるAlq3膜のバンドギャップ内準位評価」, 学術創成研究「有機デバイス関連界面の解明と制御」公開シンポジウム（2006.10）.

中野, 野田, 藤川, 森川, 大脇:「DLOS法によるAlq3膜のトラップ準位評価」, 応用物理学会（2006.8）.

中野, 森川, 大脇: 「反応性スパッタ法で作製したNドープZnO膜の可視光応答化」, 応用物理学会（2006.8）.

中野, 森川, 大脇, 多賀:「窒素ドープTiO2膜のDeep Level評価」, 応用物理学会（2005.3）.

色川, 藤島, 加地, 中野:「GaNへのSiイオン注入」, 応用物理学会（2005.3）.

Y.Nakano, T.Morikawa, T.Ohwaki, Y.Taga: "Deep-Level Optical Spectroscopy Investigation of N-Doped TiO2", 光機能材料研究会 第11回光触媒シンポジウム （2004.12）.

中野, 加地, 神保: 「GaNへのBe+O同時イオン注入によるp型ドーピング」, 応用物理学会（2003.3）.

中野, 加地, 神保: 「熱酸化法で形成したn-GaN MOS構造の電気的評価」, 応用物理学会（2003.3）.

中野, 神保: 「GaNへのSi+N同時イオン注入によるn型ドーピング」, 応用物理学会（2002.9）.

中野, 神保: 「GaN:Mg膜のアクセプター準位の電気的評価」, 応用物理学会（2002.3）.

中野, 色川, 神保: 「n型GaN MISキャパシタにおける反転層の観察」, 応用物理学会（2002.3）.

中野, 加地: 「GaNにおけるGe活性化に及ぼうN/Ge同時イオン注入の効果」, 応用物理学会（2001.3）.

中野: 「GaNへのイオン注入技術」, 第6回エネルギー・ビーム工学研究会（2001.3）.

中野, 加地: 「GaNにおけるGe活性化に及ぼすN/Ge同時イオン注入の効果」, SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第9回講演会（2000.12）.

中野, 加地, 只野: "Effect of C/B sequential implantation on the B acceptors in 4H-SiC", 第2回エネルギー・ビーム工学研究会（2000.7）.