著書（2000～）

角谷正友, 中野由崇:  新太陽エネルギー利用ハンドブック 第V編 「太陽光発電技術」, 2章 7節「化合物半導体材料 ―III-V族窒化物太陽電池の潜在力―」(分担執筆), 日本太陽エネルギー学会, 2013.

Y.Nakano: Trends in Applied Spectroscopy Vol.9, "Steady-State Photo-Capacitance Spectroscopy Investigation of Carbon-Related Deep-Level Defects in AlGaN/GaN Hetero-Structures Grown by MOCVD"（分担執筆）, Research Trends, 2013.

中野由崇: GaNパワーデバイスの技術展開, 第4章 第2節「AlGaN/GaNヘテロ構造の欠陥準位評価」」（分担執筆）, サイエンス&テクノロジー, 2012.

N.Matsuki, Y.Nakano, Y.Irokawa, M.Lozac'h, M.Sumiya: Solar Cells - New Aspects and Solutions, "Chapter 14: Transparent Conducting Polymer/Nitride Semiconductor Heterojunction Solar Cells" （分担執筆）, Intech, 2011.

中野由崇: 可視光応答型光触媒の実用化技術, 第9章 第3節「半導体物性計測技術によるバンドギャップ内準位評価」（分担執筆）, シーエムシー出版, 2010.

Y.Nakano, T.Morikawa, T.Ohwaki: Recent Research Developments in Materials Science Vol. 7, "Chapter 3: Visible-Light Sensitivity in N-Doped ZnO Films"（分担執筆）, Research Signpost, 2007.

中野, 森川, 大脇, 多賀: 可視光応答型光触媒と光触媒応用製品―研究・開発・評価・実際技術―, 第3章「光触媒材料の半導体バンド構造解析について」（分担執筆）, 技術教育出版社, 2006.

Y.Nakano: Recent Research Developments in Applied Physics Vol. 8, "Chapter 2: Ion-Implantation Doping and Gate Insulators for GaN Power Devices"（分担執筆）, Transworld Research Network, 2006.

中野由崇: 可視光応答型光触媒―材料設計から実用化までのすべて―, 第9章 第3節「半導体物性計測技術によるバンドギャップ内準位評価」（分担執筆）, シーエムシー出版, 2005.