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電気・光化学研究室

研究キーワード

半導体/強誘電体/ゾルゲル法

学べることは?

電気化学的手法による半導体薄膜の作製と物性評価

高橋研究室では

  1. エネルギー・環境関連物質として高効率エネルギー変換用化合物半導体(GaAs,CdTe,CdS,Bi2Te3など)
  2. IT関連物質として光通信用強誘電体(LiNbO3,PZTなど)
  3. 医療機器関連物質として酸化物高温超電導体(YBa2Cu3O7など)

を対象として、その合成条件と各種物性との関係を総合的に研究しています。
物質合成法には、電着法、ゾルゲル法、スラリー法、LPE法などの各種手法を駆使します。また、物性評価は材料の電気的特性、誘電体特性、強誘電体特性、超電導特性などを中心に測定しています。

高橋 誠 教授

教授 高橋 誠
研究室:14号館5階
専門分野:材料化学/電気化学
趣味:映画鑑賞/園芸

研究室からのメッセージ

材料開発に強い興味と関心のある学生は一度研究室に来て見てください。
研究例の3枚の写真は研究室の学生が作製した試料の測定結果の一例です。

研究例

(A)光パルス電着法によって作製したCdTe単結晶薄膜の原子間力顕微鏡写真(丸い粒が原子です)

CdTe単結晶薄膜の原子間力顕微鏡写真

(B)ゾルゲル法で作製したLiNbO3薄膜の断面の電子顕微鏡写真(原子が規則的に配列していることが分かる)

LiNbO3薄膜の断面の電子顕微鏡写真

(C)ErドープLiNbO3薄膜の発光状態

ErドープLiNbO3薄膜の発光状態

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